技術詳細

ローム株式会社

所在地

京都市右京区西院溝崎町21

ホームページ

https://www.rohm.co.jp

「フルSiCパワーモジュール」大電力アプリケーションの劇的な高効率化、小型化に貢献

ローム株式会社
用途
ソーラー・風力向けDC/AC、電気自動車およびハイブリッド自動車、産業機器およびエアコン向けインバータ、コンバータ
解決できる課題
低スイッチング損失、高温動作、高周波駆動により、機器の劇的な小型化・高効率化に貢献します
電子部品、モジュール
公開日
2021/03/31
最終更新日
2021/03/31

PV

33

興味あり

0

質問

0

詳細説明

フルSiCパワーモジュール

大電力アプリケーションの劇的な高効率化、小型化に貢献

1)SiCとは

シリコンカーバイド(SiC)デバイスは、シリコン(Si)デバイスと比較してオン抵抗が低く、高温、高周波、高電圧環境での性能が優れていることから、次世代の低損失半導体として大いに期待されています。

SiC技術の応用:

  • ソーラーおよび風力向けDC/ACコンバータの高効率インバータ

  • 電気自動車およびハイブリッド自動車向けのパワーインバータ・コンバータ

  • 産業機器およびエアコン向けのパワーインバータ

  • X線発生装置向けの高電圧スイッチ

  • 薄膜コーティングプロセス

2)これまでの背景

SiCはその省エネ効果から、自動車や産業機器などで採用が増加しています。SiC製品の特長である高速スイッチング性能を最大限活かすためにも、特にパワーモジュール製品のような電流定格の大きい製品においては、スイッチング時のサージ電圧の影響を抑えた新規パッケージ開発が必要でした。

3)ロームのフルSiCパワーモジュールの特長

  • 大幅なスイッチング損失低減により、機器の省エネに貢献

    ローム製SiC-SBDとSiC-MOSFETを搭載したフルSiCパワーモジュールの実現により、一般的な同等電流定格のIGBTモジュールと比べ、スイッチング損失を64%低減(チップ温度150°C時)しました。

  • 高周波駆動の実現により、周辺部品を小型化

    PWMインバータ駆動時の損失シミュレーションにおいて、同スイッチング周波数における損失を同等電流定格のIGBTモジュールと比較した場合、5kHz駆動時に30%、20kHz駆動時に55%と、より大幅なトータル損失低減を実現します。

4)SiCサポートページ

評価ボードを使用して、ロームのSiCショットキーバリアダイオード(SBD)、SiC MOSFET、SiCパワーモジュール(SBD とMOSFETを統合)の製品を簡単に評価できます。これらの小型で高効率なSiCパワーデバイスを使用することで、最終製品のサイズを大幅に小さくできる可能性があります。また、評価ボードを使って、アプリケーション試作や初期セット開発を行うことができます。

詳しくは下記URLをご覧ください。

https://www.rohm.co.jp/power-device-support

5)ローム製SiCデバイスの採用事例紹介

高効率・省エネ化を促進する採用事例をご紹介します。

詳しくは下記URLをご覧ください。

https://www.rohm.co.jp/application-examples/sic

6)お問い合わせ先

https://www.rohm.co.jp/contactus