フルSiCパワーモジュール

大電力アプリケーションの劇的な高効率化、小型化に貢献

１）SiCとは

シリコンカーバイド（SiC）デバイスは、シリコン（Si）デバイスと比較してオン抵抗が低く、高温、高周波、高電圧環境での性能が優れていることから、次世代の低損失半導体として大いに期待されています。

SiC技術の応用：

• ソーラーおよび風力向けDC/ACコンバータの高効率インバータ

• 電気自動車およびハイブリッド自動車向けのパワーインバータ・コンバータ

• 産業機器およびエアコン向けのパワーインバータ

• X線発生装置向けの高電圧スイッチ

• 薄膜コーティングプロセス

２）これまでの背景

SiCはその省エネ効果から、自動車や産業機器などで採用が増加しています。SiC製品の特長である高速スイッチング性能を最大限活かすためにも、特にパワーモジュール製品のような電流定格の大きい製品においては、スイッチング時のサージ電圧の影響を抑えた新規パッケージ開発が必要でした。

３）ロームのフルSiCパワーモジュールの特長

• 大幅なスイッチング損失低減により、機器の省エネに貢献

  ローム製SiC-SBDとSiC-MOSFETを搭載したフルSiCパワーモジュールの実現により、一般的な同等電流定格のIGBTモジュールと比べ、スイッチング損失を64%低減（チップ温度150°C時）しました。

• 高周波駆動の実現により、周辺部品を小型化

  PWMインバータ駆動時の損失シミュレーションにおいて、同スイッチング周波数における損失を同等電流定格のIGBTモジュールと比較した場合、5kHz駆動時に30％、20kHz駆動時に55％と、より大幅なトータル損失低減を実現します。

• 製品詳細ページはこちら

  https://www.rohm.co.jp/products/sic-power-devices/sic-power-module

４）SiCサポートページ

評価ボードを使用して、ロームのSiCショットキーバリアダイオード（SBD）、SiC MOSFET、SiCパワーモジュール（SBD とMOSFETを統合）の製品を簡単に評価できます。これらの小型で高効率なSiCパワーデバイスを使用することで、最終製品のサイズを大幅に小さくできる可能性があります。また、評価ボードを使って、アプリケーション試作や初期セット開発を行うことができます。

詳しくは下記URLをご覧ください。

https://www.rohm.co.jp/power-device-support

５）ローム製SiCデバイスの採用事例紹介

高効率・省エネ化を促進する採用事例をご紹介します。

詳しくは下記URLをご覧ください。

https://www.rohm.co.jp/application-examples/sic

６）お問い合わせ先

https://www.rohm.co.jp/contactus